ड्राय एचिंग तंत्रज्ञान ही एक महत्त्वाची प्रक्रिया आहे. ड्राय एचिंग गॅस हा सेमीकंडक्टर उत्पादनात एक महत्त्वाचा पदार्थ आहे आणि प्लाझ्मा एचिंगसाठी एक महत्त्वाचा वायू स्रोत आहे. त्याची कार्यक्षमता थेट अंतिम उत्पादनाच्या गुणवत्तेवर आणि कामगिरीवर परिणाम करते. हा लेख प्रामुख्याने ड्राय एचिंग प्रक्रियेत सामान्यतः वापरल्या जाणाऱ्या एचिंग गॅसेसबद्दल सांगतो.
फ्लोरिन-आधारित वायू: जसे कीकार्बन टेट्राफ्लोराइड (CF4), हेक्साफ्लोरोइथेन (C2F6), ट्रायफ्लोरोमिथेन (CHF3) आणि परफ्लुरोप्रोपेन (C3F8). सिलिकॉन आणि सिलिकॉन संयुगे कोरताना हे वायू प्रभावीपणे वाष्पशील फ्लोराइड तयार करू शकतात, ज्यामुळे पदार्थ काढून टाकता येतात.
क्लोरीन-आधारित वायू: जसे की क्लोरीन (Cl2),बोरॉन ट्रायक्लोराईड (BCl3)आणि सिलिकॉन टेट्राक्लोराइड (SiCl4). क्लोरीन-आधारित वायू एचिंग प्रक्रियेदरम्यान क्लोराइड आयन प्रदान करू शकतात, ज्यामुळे एचिंग रेट आणि निवडकता सुधारण्यास मदत होते.
ब्रोमाइन-आधारित वायू: जसे की ब्रोमाइन (Br2) आणि ब्रोमाइन आयोडाइड (IBr). ब्रोमाइन-आधारित वायू विशिष्ट एचिंग प्रक्रियांमध्ये, विशेषतः सिलिकॉन कार्बाइड सारख्या कठीण पदार्थांना एचिंग करताना चांगले एचिंग कामगिरी प्रदान करू शकतात.
नायट्रोजन-आधारित आणि ऑक्सिजन-आधारित वायू: जसे की नायट्रोजन ट्रायफ्लोराइड (NF3) आणि ऑक्सिजन (O2). हे वायू सामान्यतः एचिंग प्रक्रियेतील प्रतिक्रिया परिस्थिती समायोजित करण्यासाठी वापरले जातात जेणेकरून एचिंगची निवडकता आणि दिशात्मकता सुधारेल.
प्लाझ्मा एचिंग दरम्यान भौतिक स्पटरिंग आणि रासायनिक अभिक्रियांच्या संयोजनाद्वारे हे वायू सामग्रीच्या पृष्ठभागावर अचूक एचिंग साध्य करतात. एचिंग गॅसची निवड एचिंग करायच्या सामग्रीच्या प्रकारावर, एचिंगच्या निवडक आवश्यकतांवर आणि इच्छित एचिंग रेटवर अवलंबून असते.
पोस्ट वेळ: फेब्रुवारी-०८-२०२५