एपिटॅक्सियल (वाढ)मिश्र गाs

अर्धवाहक उद्योगात, काळजीपूर्वक निवडलेल्या सब्सट्रेटवर रासायनिक बाष्प जमा करून पदार्थाचे एक किंवा अधिक थर वाढवण्यासाठी वापरल्या जाणाऱ्या वायूला एपिटॅक्सियल वायू म्हणतात.

सामान्यतः वापरल्या जाणाऱ्या सिलिकॉन एपिटॅक्सियल वायूंमध्ये डायक्लोरोसिलेन, सिलिकॉन टेट्राक्लोराइड आणिसिलेन. मुख्यतः एपिटॅक्सियल सिलिकॉन डिपॉझिशन, सिलिकॉन ऑक्साईड फिल्म डिपॉझिशन, सिलिकॉन नायट्राइड फिल्म डिपॉझिशन, सौर पेशी आणि इतर फोटोरिसेप्टर्ससाठी अनाकार सिलिकॉन फिल्म डिपॉझिशन इत्यादींसाठी वापरले जाते. एपिटॅक्सि ही एक प्रक्रिया आहे ज्यामध्ये एकच क्रिस्टल पदार्थ सब्सट्रेटच्या पृष्ठभागावर जमा केला जातो आणि वाढवला जातो.

रासायनिक वाष्प निक्षेपण (CVD) मिश्रित वायू

CVD ही वाष्पशील संयुगे वापरून गॅस फेज रासायनिक अभिक्रियांद्वारे विशिष्ट घटक आणि संयुगे जमा करण्याची एक पद्धत आहे, म्हणजेच गॅस फेज रासायनिक अभिक्रियांचा वापर करून फिल्म तयार करण्याची पद्धत. तयार झालेल्या फिल्मच्या प्रकारानुसार, वापरलेला रासायनिक वाष्प निक्षेपण (CVD) वायू देखील वेगळा असतो.

डोपिंगमिश्र वायू

अर्धवाहक उपकरणे आणि एकात्मिक सर्किट्सच्या निर्मितीमध्ये, विशिष्ट अशुद्धता अर्धवाहक पदार्थांमध्ये मिसळल्या जातात ज्यामुळे पदार्थांना आवश्यक चालकता प्रकार आणि प्रतिरोधक, पीएन जंक्शन, दफन केलेले थर इत्यादी तयार करण्यासाठी विशिष्ट प्रतिरोधकता मिळते. डोपिंग प्रक्रियेत वापरल्या जाणाऱ्या वायूला डोपिंग गॅस म्हणतात.

प्रामुख्याने आर्सिन, फॉस्फिन, फॉस्फरस ट्रायफ्लोराइड, फॉस्फरस पेंटाफ्लोराइड, आर्सेनिक ट्रायफ्लोराइड, आर्सेनिक पेंटाफ्लोराइड,बोरॉन ट्रायफ्लोराइड, डायबोरेन, इ.

सहसा, डोपिंग स्रोत एका वाहक वायूसह (जसे की आर्गॉन आणि नायट्रोजन) एका स्रोत कॅबिनेटमध्ये मिसळला जातो. मिश्रण केल्यानंतर, वायूचा प्रवाह सतत प्रसार भट्टीत इंजेक्ट केला जातो आणि वेफरभोवती फिरतो, वेफरच्या पृष्ठभागावर डोपेंट जमा करतो आणि नंतर सिलिकॉनशी प्रतिक्रिया देऊन डोप केलेले धातू तयार करतो जे सिलिकॉनमध्ये स्थलांतरित होतात.

एचिंगवायू मिश्रण

एचिंग म्हणजे सब्सट्रेटवरील प्रक्रिया पृष्ठभाग (जसे की मेटल फिल्म, सिलिकॉन ऑक्साईड फिल्म इ.) फोटोरेसिस्ट मास्किंगशिवाय खोदणे, तर फोटोरेसिस्ट मास्किंगसह क्षेत्र जतन करणे, जेणेकरून सब्सट्रेट पृष्ठभागावर आवश्यक इमेजिंग पॅटर्न मिळू शकेल.

एचिंग पद्धतींमध्ये ओले रासायनिक एचिंग आणि कोरडे रासायनिक एचिंग यांचा समावेश होतो. ड्राय केमिकल एचिंगमध्ये वापरल्या जाणाऱ्या वायूला एचिंग गॅस म्हणतात.

एचिंग गॅस हा सहसा फ्लोराईड वायू (हॅलाइड) असतो, जसे कीकार्बन टेट्राफ्लोराइड, नायट्रोजन ट्रायफ्लोराइड, ट्रायफ्लोरोमेथेन, हेक्साफ्लोरोइथेन, परफ्लुरोप्रोपेन, इ.