एपिटॅक्सियल (वाढ)मिश्रित गाs

सेमीकंडक्टर उद्योगात, काळजीपूर्वक निवडलेल्या सबस्ट्रेटवर केमिकल व्हेपर डिपॉझिशनद्वारे पदार्थाचे एक किंवा अधिक थर वाढवण्यासाठी वापरल्या जाणाऱ्या वायूला एपिटॅक्सियल वायू म्हणतात.

सामान्यतः वापरल्या जाणाऱ्या सिलिकॉन एपिटॅक्सियल वायूंमध्ये डायक्लोरोसिलेन, सिलिकॉन टेट्राक्लोराइड आणि यांचा समावेश होतो.सिलेनमुख्यतः एपिटॅक्सियल सिलिकॉन निक्षेपण, सिलिकॉन ऑक्साइड फिल्म निक्षेपण, सिलिकॉन नायट्राइड फिल्म निक्षेपण, सौर पेशी आणि इतर फोटोरिसेप्टर्स इत्यादींसाठी अस्फटिक सिलिकॉन फिल्म निक्षेपणासाठी वापरले जाते. एपिटॅक्सी ही एक प्रक्रिया आहे ज्यामध्ये सब्सट्रेटच्या पृष्ठभागावर एकल स्फटिक पदार्थाचे निक्षेपण आणि वाढ केली जाते.

रासायनिक बाष्प निक्षेपण (सीव्हीडी) मिश्रित वायू

सीव्हीडी (CVD) ही बाष्पशील संयुगे वापरून वायू अवस्थेतील रासायनिक अभिक्रियांद्वारे विशिष्ट मूलद्रव्ये आणि संयुगे जमा करण्याची एक पद्धत आहे, म्हणजेच वायू अवस्थेतील रासायनिक अभिक्रिया वापरून थर तयार करण्याची एक पद्धत आहे. तयार होणाऱ्या थराच्या प्रकारानुसार, वापरला जाणारा रासायनिक बाष्प निक्षेपण (CVD) वायू देखील वेगळा असतो.

डोपिंगमिश्रित वायू

सेमीकंडक्टर उपकरणे आणि इंटिग्रेटेड सर्किट्सच्या निर्मितीमध्ये, रेझिस्टर्स, पीएन जंक्शन्स, बरीड लेयर्स इत्यादी बनवण्यासाठी सेमीकंडक्टर पदार्थांना आवश्यक प्रकारची वाहकता आणि विशिष्ट रोधकता देण्यासाठी, त्या पदार्थांमध्ये काही अशुद्धी मिसळल्या जातात. डोपिंग प्रक्रियेत वापरल्या जाणाऱ्या वायूला डोपिंग गॅस म्हणतात.

मुख्यतः आर्सीन, फॉस्फिन, फॉस्फरस ट्रायफ्ल्युओराइड, फॉस्फरस पेंटाफ्ल्युओराइड, आर्सेनिक ट्रायफ्ल्युओराइड, आर्सेनिक पेंटाफ्ल्युओराइड यांचा समावेश आहे.बोरॉन ट्रायफ्ल्युओराइड, डायबोरेन, इत्यादी.

सामान्यतः, डोपिंग स्रोत एका वाहक वायू (जसे की आर्गॉन आणि नायट्रोजन) सोबत सोर्स कॅबिनेटमध्ये मिसळला जातो. मिश्रणानंतर, वायूचा प्रवाह सतत डिफ्यूजन फर्नेसमध्ये सोडला जातो आणि तो वेफरला वेढतो, ज्यामुळे वेफरच्या पृष्ठभागावर डोपंट्स जमा होतात, आणि नंतर सिलिकॉनसोबत अभिक्रिया होऊन डोप्ड धातू तयार होतात जे सिलिकॉनमध्ये स्थलांतरित होतात.

कोरीवकामवायू मिश्रण

एचिंग म्हणजे फोटोरेझिस्ट मास्किंगशिवाय सबस्ट्रेटवरील प्रोसेसिंग पृष्ठभाग (जसे की मेटल फिल्म, सिलिकॉन ऑक्साइड फिल्म, इत्यादी) काढून टाकणे, आणि फोटोरेझिस्ट मास्किंग असलेला भाग तसाच ठेवणे, जेणेकरून सबस्ट्रेटच्या पृष्ठभागावर आवश्यक इमेजिंग पॅटर्न मिळवता येईल.

एचिंग पद्धतींमध्ये वेट केमिकल एचिंग आणि ड्राय केमिकल एचिंग यांचा समावेश होतो. ड्राय केमिकल एचिंगमध्ये वापरल्या जाणाऱ्या वायूला एचिंग गॅस म्हणतात.

एचिंग वायू सामान्यतः फ्लोराइड वायू (हॅलाइड) असतो, जसे कीकार्बन टेट्राफ्ल्युओराइड, नायट्रोजन ट्रायफ्ल्युओराइड, ट्रायफ्ल्युओरोमिथेन, हेक्साफ्ल्युओरोइथेन, परफ्ल्युओरोप्रोपेन, इत्यादी.